这一刻，曹卫东想到了湾湾的某电。
在某电横空出世之前，芯片厂的制造模式被称作IDM。
即从芯片设计到完成成品。
都是由同一家公司完成的。
然而这就意味着芯片公司必须具有整个产业链上的技术与人才、生产制造设备，导致每家公司都无法专精于芯片产业链上的某个环节，造成大量的资源浪费。
张仲谋认为，未来的芯片产业必定是要实现分工的，而晶圆制造这一领域，属于整个芯片行业的底端。
晶圆是芯片的母体。
晶圆制造，则是将芯片设计图纸真正在晶圆上蚀刻成电路的工艺技术。
于是他创办了某电，专门做晶圆制造的代工。
这样做的好处是把一大批创业期芯片设计公司解放出来，让他们专注于自己天马星空的设计方案，推动了芯片的快速发展，而把实际制造、需要大量设备工艺与工人的的“脏活累活”交给代工厂们实现。
这种区别于IDM模式的芯片制造模式，被称为代工厂模式。
之后的事情也证明了张仲谋的正确。
随着个人计算机、手机的兴起，以及对消费级芯片的需求量爆发式增长，从而诞生了很多芯片初创公司，这些公司无力承担芯片全产业链的成本，因而纷纷主攻轻资产的芯片设计环节，而将制造交予台积电这样的专业化代工厂。
于是，台积电逐渐腾飞。
曹卫东觉得，芯片代工的道路很适合星火电子厂。
他可以将星火电子厂打造成一家全产业链能力的IDM大厂，但是在非特定领域可以对外代工。
当然，其中还有一个隐患，就是光刻机。
君不见与某电同台竞争的大陆本土晶圆代工企业中芯国际，由于一直苦于没有高端光刻机供货，至今也只能接接中低端的代工订单，无法踏入高端芯片制造舞台。
光刻机。
曹卫东低声呢喃着。
在解决了EDA软件卡脖子的问题后，除了推陈出新，推进自家EDA软件发展之外，下一步，他还要着手解决光刻机的问题。
实际上，神州一直是光刻机设计制造生产大国。
1964年，神州科学院研制出65型接触式光刻机；
1970年，神州科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺。
1977年，光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。
1980年，清华大学研制第四代分部式投影光刻机，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平，而直到这个时候，光刻机巨头ASML还没诞生。
1981年，神州科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。
1982年，KHA-75-1光刻机诞生，这些光刻机跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年的时间。
1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。
此时，神州在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。
但是很可惜，神州的光刻机研发之旅至此结束。
从这之后，神州开始大规模引进外资，在＂造不如买”“科学无国界”等思潮，光刻技术和产业化，停滞不前，许多光刻机等科技计划被迫取消。
而在这期间，荷兰的ASML在整合了全世界的资源后，出奇制胜，成为光刻机绝对的霸主。
在ASML成功的道路上，有两大机遇。
一是浸润式光刻技术，由此对应着DUV光刻机。
一是深紫外线光刻机技术，由此对应着EUV光刻机。
九十年代，干式光刻机技术大行其道，其芯片生产工艺达到了65nm，接下来的目标是向着45nm前进。
然而干式光刻机使用的是干式介质，采用的光线有一大堆问题，非常难以解决。
这时候某电的林本坚就提出了一个观点，即用水来充当介质。
经过试验，他发现这一思路是可行的。
彼时的光刻机巨头尼康、佳能。
这些大厂早就在干式光刻机上投入了几十亿美元研究，投入太多，无法改弦更张。
而ASML因为是一家小厂，秉承着光脚不怕穿鞋的理念，和某电合力研发浸润式光刻机了。
最后就是ASML与台积电研发浸润式光刻机成功了。
这就是DUV光刻机。
经过了多年的发展，目前，DUV光刻机已经可以满足绝大多数需求，可以覆盖7nm及以上制程需求。
到了这时候，学者们的普遍观点是，EUV将是下一代光刻技术。
EUV光刻机采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm，能满足10nm以下的晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
另外值得一提，早在20世纪80年代，大约是1985年，就有学者开始研究EUV光刻技术。
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