由此，日国开始以“举国之力”来进行自主研发。
一个官产学研发项目，彻底改变了日国半导体产业的地位。
这个项目就是日国通商产业省（经济产业省前身）发起成立的vlsi共同研究所（超lsi技术研究组合），“打造未来计算机必不可少的大规模集成电路”这一口号也显示了日国的巨大野心。
日过通产省将市场中的各大竞争对手（富士通、日立、三菱电机、东芝和nec）的研发人员集结起来，总计投入700亿日元，政府出资290亿日元（几乎相当于当时通产省补贴支出的一半）。
70年代对美国等外部的关键制程设备和生产原料依赖率达到80%，而到1980年代初，日过半导体制造装置国产化率达到了70%以上，为日后超越美国成为半导体业霸主奠定了基础。
由此日过半导体业开启了“黄金时代”，全球市场份额不断上升，在世界范围内开始具有举足轻重的地位。
以1980年投入市场的64k dram为例，1981年，日立市场占有率全球第一，占40%的份额；第二位是富士通，占20%，nec占9%。之后，nec主导了256k时代，东芝主导了1mb时代。
到1986年，日国半导体企业在全球dram的市占率达到了80%，超越了美国。
这一时期的日本产业发展主要靠出口，1970-1985年的15年间，日本该产业的产值增加了5倍，出口增加了11倍。
祸兮福所倚，福兮祸所伏。
广场协议之后，日国遭受米国重创，继而又因为自己犯下了致命错误，导致该行业崩塌。
1980年代后期，日国的dram市场份额开始大幅衰退，根本原因是dram市场结构发生巨变，频繁发生的毛衣摩擦也一定程度上阻碍了行业发展。
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