非球面透镜顺带还能抵消设备跑起来产生的那堆光学误差，光刻图形的成像分辨精度能往上提一大截。透镜外形结构、曲率分布，一遍遍优化下来，设备能蚀刻出更细的电路结构，分辨率一步一个台阶往上走，正好卡在当代微电子精密加工那道门槛上。不管是前期研发试水，还是后期批量铺量生产，这玩意儿都能按着光学指标灵活调，设计自由度那是相当高，场景适配性是真能打。
有了这套成熟方案顶着，光刻机往哪个工艺条件、设计方案上靠都稳得很，工业生产那五花八门的需求基本都能给你兜住。
第二代光刻机上那颗全新的非球面透镜，从加工工艺到综合性能参数，全对标着现代高端光刻机的核心技术水准去的，一点不含糊。与此同时，设备还上了迭代升级过的接触式近场光刻工艺。
再说句不好听的，国内出口的商用光刻机型号，大部分还在用老掉牙的传统光刻工艺体系。这套传统路子走的是远场光学成像，靠光学投影把掩膜版上的电路图案挪到工件表面。光线那物理衍射规律摆在那儿，传统光刻的分辨能力本身就压着一道天堑，天然极限，压根儿绕不过去。
除了分辨率这个老大难，传统光刻工艺在配套上也是一堆窟窿。光学衍射死死掐着光刻图形的分辨精度，你把光源波长和整机参数加一块儿算，都摸不到纳米级别精密加工的边儿。这一刀直接戳在命门上，传统光刻设备压根进不了高精度、微纳尺度的芯片制造局。
除此之外，传统的还干不利索两类活儿——超微型图形和超大尺寸图形。做超精细电路线路的时候，强衍射一搅和，成像精准度立刻跳水，那些微小电路纹理、结构细节根本还原不出来。干大尺寸图形呢，光学投影的覆盖范围又卡脖子，一整片晶圆想全域一体化加工？想都别想。
综合生产成本那更是年年居高不下。主机设备就不说了，配套耗材一样比一样烧钱，跟新一代光刻技术一比，市场竞争优势？真谈不上。
光刻机本身就是超高精度光学设备那一挂的，核心光学元器件、机械传动结构，哪样不是拿放大镜苛求制造精度？想做出高精度图形转移和加工成型，高品质光刻胶、高精度掩膜版这些配套耗材一样少不了。设备采购往那儿一摆就是天价，耗材还换得勤，国内芯片制造这条线上的，经济压力山大。
而且传统光刻工艺生产耗时普遍偏长，碰上复杂图形，对位、曝光，来回折腾好几遍是常态，单次加工时间就这么硬生生拉长了。要是再叠多层结构，复合生产工序一多，整个芯片制造周期更是一拖再拖。
再有，传统光刻设备对生产环境那叫一个挑剔，必须搁超高洁净度的无尘车间里待着，不然光刻胶和晶圆基材一沾粉尘杂质就废了。这苛刻的环境要求，不仅日常运维难度大，连生产厂房的硬件配套都被逼着往上提标准。
基于以上那堆破事，赵卫国在外销型光刻机设备研发这事上，最后还是落了稳妥牌，选定了技术成熟、运行稳定的传统光刻技术方案。外销设备又不用硬扛国内顶尖自主研发那摊高端需求。定价即使偏高一些，海外市场那帮固定客户群体和销量也还能稳得住。
目前国内在卖的所有商用光刻机，清一色全扎在传统光刻工艺架构上。而国内自研自用的那一批，倒全是上了精度更高、综合性能更优的近场光刻工艺。
这近场光刻工艺，说起来才是国产初代自研光刻机实打实的核心核心技术。路子也野，直接拿掩膜版和光刻胶的间距开刀，压缩到光波波长量级，成像分辨能力蹭蹭往上蹿。成像清晰度肉眼可见地提上去了，芯片元器件的特征尺寸把控得死死的，精密加工品质稳得很。
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