【本周产品：Universal Flash Ste全套技术，价格2亿软妹币。】
【简介：Universal Flash Ste即通用闪存存储，是一种将Nand Flash和Flash troller协议接口封装在一起的存储系统。】
Universal Flash Ste的缩写就是USF内存，这种技术在后世直接取代eMMC内存，因为USF内存在读取和写入速度上远超eMMC内存。
...
还没等长孙小小反应过来韩琛抱起对方反手将对方压在身下。
“不要。”长孙小小惊恐的看着韩琛用沙哑的声音说道。
只是韩琛哪里会理会她的请求，韩琛二话不说直接掏出大弯刀，一刀直接砍向那羊肠小道。
长孙小小虽然极力反抗但是身体却非常诚实，随着一声“嘤咛”大战再一次开始。
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转眼来到中午十二点。
韩琛从床上起来看着躺在床上犹如婴儿般熟睡的长孙小小歪嘴一笑。
随后韩琛从系统里掏出一颗基因优化胶囊喂到她嘴里。
也不知道是不是已经形成条件反应了，长孙小小将基因胶囊吞了进去，韩琛喂完胶囊后来到茶桌前。
韩琛打开电脑后在电脑里找到一个名为Universal Flash Ste的文件夹。
韩琛跳过UFS 1.0直接点开UFS 2.1的文件夹。
UFS 1.0在性能上没有太大区别，所以韩琛打算直接上UFS 2.1，韩琛打开文件开始查看相关技术介绍，韩琛将UFS 2.1用在下一代产品上。
UFS的组成一共由5个构造组成。
1.UFS主控芯片。
主要负责管理和控制卡内的存储芯片以及与主机设备之间的数据传输和通信。
2.闪存控制器。
存储器控制器是UFS芯片中的核心组件，负责管理和控制存储器的读写操作。它接收来自主机设备的指令，解析和执行这些指令，并管理数据的缓存和传输。
3.发送接收端口。
这些接口电路负责与主机设备进行通信，处理和调整数据的传输速率和电信号。
4.控制器处理器。
一些较高级的UFS芯片可能集成了控制器处理器，用于执行更复杂的存储控制和管理功能。这些处理器可以协助存储器控制器执行错误检测和纠正、数据压缩和加密等任务。
5.闪存存储芯片。
UFS芯片中的闪存存储芯片是用于实际存储数据的部分，通常是基于NAND Flash技术制造的，具有快速的数据传输速度和较大的存储容量。
6.外壳和连接器。
UFS卡通常采用坚固的外壳和合适的连接器，以提供保护和方便的插拔接口。
韩琛没有想到USF内存实际构架这么复杂，不过USF却给韩琛带来了意外的惊喜，因为UFS技术里面包含了3D NAND Flash的技术。
简单点说USF就是将NAND Flash和芯片通过SOC方式封装在一起的内存，它的构造相对比传统的NAND Flash要复杂许多。
如果只是单纯制造NAND Flash的话，NAND Flash的掩膜会非常便宜，因为NAND Flash掩膜制造非常容易，一旦NAND Flash跟主控芯片融合后，它们的掩膜制造成本就会变得非常高。
而且两者融合在一起的研发成本也比单纯的研发主控芯片又或者是单纯的NAND Flash高。
...
要知道3DNAND Flash技术就连山星、镁光、海力士还有英飞达的这些巨头都没有。
3DNAND Flash技术里面还包含了SLC/MLC/TLC这三种基础单元技术。
Flash的基本组成单元是浮栅晶体管，其状态可以用来指示二进制的0或1。
写操作就是往晶体管中注入电子，使之充电；擦除操作则是把晶体管中的电子排出，使之放电。
由于这是个模拟系统，晶体管并不存在绝对的空和满状态，其中的电子数目可以处于空和满之间的任意一个状态。
由此可见，可以根据晶体管中电子的数目来指示二进制的0和1。比如在SLgle Level Cell）中，晶体管中电子数目小于50%的时候代表1，大于50%的时候代表0。
SLC是对电子数目做的一阶量化，所以一个晶体管可以代表两个状态：0和1。
如果我们对晶体管中的电子数目做二阶量化，一个晶体管就可以代表四个状态：少于25%代表00，25%~ 50%代表01，50%~ 75%代表10、大于75%代表11。这就是MCL(Multi Level Cell)的做法。
当然我们还可以对晶体管中的电子数目做三阶量化，一个晶体管就可以代表八个状态：000、001、010、011、100、101、110、111。这是TLC(Three Level Cell)的做法。
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