“我们将要设计的是第三代IGBT，而不是二代，更不是第一代......”
话还没有说完，有一位设计研发人员实在忍不住了，站起来打断道，“老板，可是据我所知，现在各行各业广泛应用是第一代IGBT，第二代IGBT还在研发阶段，没有广泛的大量应用，确定我们真的是开始第三代IGBT的设计研发吗。”
胡光凡非常肯定的道，“我已经说的很明白，就是第三代IGBT的设计研发，现在我来和大家讲一讲具体的第三代IGBT的具体的设计。”
说完，将自己准备好的设计图纸挂了出来，展示在大家的面前。
“我们知道，现在的IGBT主要‘贯通型’的设计结构，硅芯片比较厚，5微米到3微米不等.....”
简单的说了第一代IGBT之后，胡光凡道，“第三代IGBT采用的是‘非贯通型’的设计结构，采用硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，硅芯片的重直结构也做了很大的改变......”
大家都是呆呆的！
这真的是第三代IGBT技术，首先设计理念就发生了翻天覆地的变化，从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，这是重大的概念变化。
胡光凡讲的非常专业，也非常的详细。
大家都是这一方面的专业人才，回过神来之后，渐渐的就听懂了，仿佛一扇全新的大门被打开了。
胡光凡足足讲了一上午，中间只休息了二十分钟。
一个上午讲完之后，胡光凡什么时候离开的很多人都不知道，他们还沉浸在第三代IGBT的设计上，那些全新的设计结构，全新的设计理念，深深的震撼着他们，久久都未能回过神来。
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