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第三百一十二章 正式反超

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这也使得目前的第1代的碳基材料,在相应的半导体的特有属性方面,其整体能够接收的频率要比普通的硅基材料强大概17%左右。

同时优良的导电性也能够让其在相应的功耗方面拥有着非常不错的表现力,其中第1代材料的功耗表现相比于普通的硅基材料,直接缩减了25%左右的功耗水平。

这也就意味着用最新材料的碳基半导体生产的处理器芯片在同等设计方面更加的省电,功耗表现更加的优秀。

另外相应的碳基材料能够使得整个半导体内部的晶体管的直径范围控制在0.5n1n右,从而实现半导体制成工艺,真正意义上能够突破到一纳米制程工艺的水平。

要知道目前的硅晶半导体的发展已经开始有了一定的局限性,其整体的能够局限的晶体管的直径范围大概在1.57纳米到1.72纳米之间。

这也就意味着目前的芯片,代工厂商在将工

艺突破到二纳米之后想要再往前,更进一步需要新的技术作为支持,否则传统的技术想要继续的使得相应的制成工艺得到提升,其难度将会大幅度升级。

并且这一次的第1代的半导体碳基材料才只不过是第1代水准,而随着相应的材料技术不断的增强,也能够使得接受制程工艺的水平再次得到提升。

相应的功耗表现可以说是已经完全的超越了传统的硅基材料半导体,而全新的半导体材料的特性,更是给了目前新的碳基半导体材料无限的可能。

相应的第二代c23a2碳基半导体材料则是在第一代的基础方面增加了其相应的导电性,使其的功耗的表现力继续缩减15%左右。

同时相比于第一代材料来说,耐高温的水平也进一步的提高,使得相应的半导体在生产时能够接受更高的频率和更高的温度。

可以说第一代的材料是相应整体材料奠基的基础,而第二代的材料则是在第一代的基础方面做了小幅度的升级,使得整体的体验得到进一步的提升。

随着相应的最新的材料被完全的讲解之后,目前的众多的公司高层此时也被羽震半导体所拥有的技术实力所震惊到。

羽震半导体若是在这一次技术峰会还没有开始的时候,最多也就是目前行业之中天花板的水平。

甚至台积电在相应的半导体代工方面还能够压制住羽震半导体系统。

但是随着相应的最新的碳基半导体材料正式的面向于大众之后,所有人的观点都发生了巨大的改变。

羽震半导体这可不是行业的天花板,这是要把整个行业都进行相应的翻天覆地的改变,让整个行业都因此而疯狂。

「看样子这一次随着相应的技术被曝光之后,恐怕与羽震导体未来将会成为整个科技行业之中的心头大患,甚至成为他们最为恐慌的存在」

其他的科技公司的负责人,在看到了这样的情况之后,也不免感慨羽震半导体的实力。

同时原本那偏向于全球科技行业的想法也开始出现了动摇,甚至心中也开始准备突破全球科技公司的指令,选择倒向与羽震导体这边。

「新的材料也带给了我们现在羽震半导体飞速的发展,特别是在制程工艺方面,我们也有了新的突破!」

相应的材料技术方面的升级,带来的是最终生产工艺技术方面的大幅度提升。

而目前整个全球半导体行业之中实现量产最强的制程工艺是目前台积电和三桑的三纳米制程工艺。

当然大多数了解科技的用户自然清楚的明白,三桑所谓的全新的制程工艺只不过是相应的伪工艺而已。

其整体的表现还不如台积电的四纳米和五纳米的制程工艺。

随着三纳米的制程工艺已经成为了目前芯片代工之中最为顶尖的存在,芯片的代工厂商也开始逐步的向更加困难的二纳米制程工艺进行相应的研发探索。

只不过可惜的是,由于芯片材料的特性再加上工艺制成的难度,使得目前的两家科技公司并没有泰达技术方面的进展,甚至有专家估计需要再等两年才会实现两纳米制程工艺的突破和量产。

「在去年年底,我们的半导体领域已经正式的突破了三纳米制程工艺,其良品率高达99.986%,这应该是目前行业之中最高的良品率!」

「同时我们公司也在进行相应的二纳米制程工艺的技术研发创新,目前也能够生产一批次的二纳米制程工艺的处理器芯片,虽说良品率只有80%,但是按照目前的发展,预计在今年年底将会正式的突破99%以上!」

「预计在明年年初,我们公司将会正式的开始支持两纳米制程工艺的批量生产!」

羽震半导体的话,如同晴天霹雳一般,让目前的众多网友都已经完全的傻眼了。

这可是完完全全赤裸裸的向整个半导体科技行业挑衅。

用最为简单的几句话来说,羽震半导体。目前的芯片代工水平已经完全的处于了顶尖的t1梯队,并且良品率还是比其他两家芯片代工的顶尖公司还要强。

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