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第二百四十章 八月:产量提高2.6倍

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“呼~”

脑海中缓了一会儿后,林晓便感觉自己的思维重新恢复了清晰。

这一次提高的大脑开发度还不到本来的十分之一,对他本身的负担并不大,只是稍微有一些头晕罢了,等了一会儿后,这种眩晕感便逐渐消退了。

此时此刻,他再次抬头看向周围的环境,便感到周围的一切彷佛都在他的把控之中,甚至他能够将整个房间直接建立成为了一个3d模型,然后放在自己的大脑中,并且甚至能够直接对这个模型进行改变。

此外,他甚至感觉自己现在能够轻松地对八位数数字进行质数分解。

同时,他感觉自己对于物理的理解似乎也更近了一步。

本来,他因为之前提出了多维场论,而从系统那里得到了一个【物理大师光环】,这个光环对他的加成还是很高的,这也是为什么他有自信对光刻机来动手。

而现在他物理学又提升到了5级,这让他更有信心将这个时间缩短了。

“甚至……euv光刻机也不是什么问题,似乎x光刻机,也能行?”

林晓的脑海中忽然浮现出了这个想法。

x光刻机,指的便是用x光作为光源的光刻机。

x光的波长比极紫外光更短,能够更加容易地去生产先进制程芯片。

并且这种光刻机有一种优点,那就是它的光源是直接照射在芯片底上的。

这种曝光方式便叫做直写式。

而euv光刻机的光源中,euv光源是经过十几块镜片的各种折射,最后通过掩膜版上面的图桉,以投影的方式在芯片上形成芯片的。

这也就是说,x光刻机不需要光掩膜版就能使用,同时它对透镜系统的要求很低,仅仅只对透镜表面光滑度有一点要求而已。

此外,euv光源在经过十几次光学镜片的折射后,原有光源的能量也会大大遭到削弱,原来的100%,到最后能量可能只会剩下不到3%,这也是为什么对euv光源的要求就是功率足够强,不然的话,华国也不可能在光源上实现不了突破,毕竟方法都知道,不可能造都造不出来。

而x光刻机就不同了,因为是直写式,不需要经过镜片折射,所以根本不用担心光源功率不足的问题,反倒要担心的是曝光时间稍微长了一点,反倒会影响到最终的效果。

当然,x光优点很多,但同样也有缺点。

那就是相比较euv光刻机来说,光刻效率比较低,在实现大规模生产上比较困难,这也是为什么x光刻机没有占据主流的原因,虽然到现在也仍然再用,不过并不是那么引起人们的关心。

不过,这个问题林晓自然是考虑到了,而他觉得x光刻机能搞,便是因为他刚才闪过的灵感,让他有了一个实现x光刻机大规模生产的方法。

那就是利用衍射效应。

x光是能通过晶体进行衍射的,并且一般来说,晶体结构基本上是利用x光衍射来测定的。

但是反过来说,如果选取合适的晶体材料作为透镜,然后利用衍射效应实现对x光的缩放,进而就能实现像euv光刻机那样的生产效率,在加上x光那强大的能量,实现更加快速的生产效率,十分的轻松。

当然,其中就有一个困难的问题了,那就是这个合适的晶体是什么,此外,利用衍射效应实现对x光的控制,其中需要处理的数据十分庞大。

所以到现在虽然也有利用这种衍射效应去实现芯片制造的,但是基本上都仅限于一些特殊的图形,应用桉例十分之少。

对于林晓来说,他也仅仅只是这么想一想。

虽然现在的他还有一点把握,但是要是他给外界的人说自己要搞x光刻机的话,恐怕他们华芯盟第二天就得退出个一大半。

不再多想,他重新将目光投入到眼前的数学模型中。

如今升级了的他,再次回顾起这个模型,心中忽然觉得,这个模型似乎还有些欠缺啊?

“唔……这个模型似乎还可以再优化一下。”

经过片刻的思考,他找到了可以优化的点。

“嗯,离子抛光机校准系统,还有一点可以优化。”

离子抛光机的校准系统受到本身精度的影响,当然,考虑到内部磁场的影响,离子束的轨道是会受到磁场干扰的,就像是粒子加速器也会受到磁场的各种干扰。

所以如果在校准系统中对磁场干扰误差进行更加精确的修正,或者说是利用磁场误差和离子抛光机自身精度误差的差值,同样也能实现更加精准的抛光。

想到这,林晓立马开始动手计算,而这一步,其实很容易,那就是根查法。

离子束抛光机,喷射等离子体,磁场误差影响……这些东西加起来,可不就能够用根查法来解决吗?

当然,由于结构有些不同,还有功能上的不同,所以也需要对根查法做一个简单的修改。

而这一步,并不困难。

大概半个小时后,他便完成了对这个模型的优化。

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